Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC549C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC560B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): +150°C. Equivalentes: BC550CG, BC550CBU. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC546B

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 280 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -65V. Corrente do coletor: -0.1A. Potência: 0.5W. Carcaça: TO-92

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC546C

Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 110. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC547A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC547B

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 320 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -50V. Corrente do coletor: -0.2A. Potência: 0.5W. Carcaça: TO-92

Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): 10pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC547C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 320 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Função: Comutação e amplificador AF. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C559A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 200...450. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: transistor complementar (par) BC550B

Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 380. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC550C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. BE diodo: Transistor PNP . Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): TO-226AA. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC550C

C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 110pF. Custo): 9pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Data de produção: 1997.04. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS