Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC635

BC635
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2 - 2 0.92€ 1.13€
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5 - 9 0.82€ 1.01€
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BC635. C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.

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BC639
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BC640
BC639
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BC640
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BC637

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C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. ...
BC637
C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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