Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC327-25

BC327-25
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BC327-25. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 160-400. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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BC327-40
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-40
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