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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - BC636

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - BC636
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - BC636. Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 110pF. Custo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Data de produção: 1997.04. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V
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