Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC640

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BC640. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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