Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC550B

BC550B
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BC550B. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC560B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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BC550CG

BC550CG

RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF...
BC550CG
RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): +150°C. Equivalentes: BC550CG, BC550CBU. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC550CG
RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): +150°C. Equivalentes: BC550CG, BC550CBU. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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