Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V - BC557A

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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V - BC557A. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 110. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC547A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 15:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 10pF. Custo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC547C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V
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