Transistores

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 160-400. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 160-400. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 260 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-40

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 250-600. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-40. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -30V. C (pol.): -0.8A. Custo): 0.63W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 210 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Potência: 0.63W. Carcaça: TO-92

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-40

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 210 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Potência: 0.63W. Carcaça: TO-92

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-40. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Potência: 0.63W. Frequência máxima: 100MHz. Carcaça: TO-92

Custo): 40pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 63. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 85. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC369

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC369. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Frequência de corte ft [MHz]: 45 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V

Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -20V. Corrente do coletor: -1A. Potência: 0.625W. Carcaça: TO-92

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 160000. Ganho mínimo de hFE: 8000. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: VEBO 12V