Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC369

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1 - 1 0.42€ 0.52€
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3 - 4 0.38€ 0.47€
5 - 9 0.36€ 0.44€
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Conjunto de 10

BC369. RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC369. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Frequência de corte ft [MHz]: 45 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C (pol.): 110pF. Custo): 9pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Data de produção: 1997.04. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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