Transistores

Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-18. Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 80pF. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: para aplicações de média potência e comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) BC161-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 180pF. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: 1A. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): +175°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(máx.): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC141. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Corrente do coletor: 0.1A. Nota: ( E,C,B ). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V

Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): -0.1A. Custo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC212BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 280 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: BC237/25

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC237BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 120V. Corrente do coletor: 0.5A. Potência: 0.85W. Frequência máxima: 120MHz. Carcaça: TO-39

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Potência: 0.85W. Frequência máxima: 120MHz. Carcaça: TO-39

Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -60V. C (pol.): -0.5A. Custo): 0.85W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 7V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C32716. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 260 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP