BC300
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BC300. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 120V. Corrente do coletor: 0.5A. Potência: 0.85W. Frequência máxima: 120MHz. Carcaça: TO-39. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração:...
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3019. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: transistor NPN . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3019. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: transistor NPN . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V
2N3019-ST
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ga...
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V
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