2N5416

2N5416. C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade e amplificador linear. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.