Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.37€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.29€ |
10 - 24 | 1.00€ | 1.23€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.16€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.13€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.11€ |
250 - 667 | 0.85€ | 1.05€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.37€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.29€ |
10 - 24 | 1.00€ | 1.23€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.16€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.13€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.11€ |
250 - 667 | 0.85€ | 1.05€ |
2N3019-ST. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 10:25.
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