2N4033

2N4033. Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150...500 MHz. Função: S. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39 ( TO-5 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.