BC304
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.97€ | 1.19€ |
| 5 - 9 | 0.92€ | 1.13€ |
| 10 - 24 | 0.87€ | 1.07€ |
| 25 - 49 | 0.82€ | 1.01€ |
| 50 - 88 | 0.80€ | 0.98€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.97€ | 1.19€ |
| 5 - 9 | 0.92€ | 1.13€ |
| 10 - 24 | 0.87€ | 1.07€ |
| 25 - 49 | 0.82€ | 1.01€ |
| 50 - 88 | 0.80€ | 0.98€ |
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BC304. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 7V. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.
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Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -60V. C (pol.): -0.5A. Custo): 0.85W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -60V. C (pol.): -0.5A. Custo): 0.85W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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