Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303. Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 16:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V
BC640
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V
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2SA1013

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2SA1013
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: A1013. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V
2SA1013
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: A1013. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V
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2N5401

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2N5401
Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5401. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: 2N5401. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5401. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: 2N5401. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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