Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC303

BC303
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BC303. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -60V. C (pol.): -0.5A. Custo): 0.85W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC640
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2SA1013

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho má...
2SA1013
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: A1013. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: A1013. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuraç...
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5401. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
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