Transistores

Tipo de canal: N-P. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4. Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: Vdss 30V (N), -30V (P)

Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DIP-8. Carcaça: DIP. Quantidade por caixa: 2. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD TO-252-4L*. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 8.4A. DI (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (máx.): 10.4A. Marcação na caixa: 4800C G M. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: comutação rápida, conversor DC/DC. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 8440pF. Custo): 1775pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 160A. DI (T=100°C): 48A. DI (T=25°C): 48A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 88N30W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. On-resistência Rds On: 48m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1440pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 43 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. On-resistência Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N-P. Função: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

C (pol.): 1170pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Id(im): 150A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 9962GH. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 27.8W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 8 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Função: MOS-N-FET. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Id(im): 90A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 9971GH. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NO. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.3W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220CFM. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 2. Id(im): 28A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 7A. Marcação na caixa: 9971GM. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. On-resistência Rds On: 0.050R (50m Ohms). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Função: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 12ns. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão Vds(máx.): 20V

Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Modo de aprimoramento DUAL MOSFET (canal N e P) . Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Nota: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Nota: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Nota: Vds 30V & 30V

C (pol.): 1685pF. Custo): 210pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 55ms. Função: Fontes de alimentação comutadas de alta frequência. Corrente do coletor: 56A. Ic(pulso): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: POWER MOS 7® IGBT. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 4360pF. Custo): 895pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 280 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 164A. DI (T=25°C): 41A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 250uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Power MOS 7 FREDFET. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 7400pF. Custo): 1000pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 176A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 450W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSV. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power MOSV. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 5.5V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 40mA. Frequência de corte ft [MHz]: 2.4GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-343. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: 5Fx. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 0.37V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.27W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 1. Nota: TU

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: B891F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP