AP9971GI

AP9971GI. C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NO. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.3W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220CFM. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.