APT5010JVR

APT5010JVR. C (pol.): 7400pF. Custo): 1000pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 176A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 450W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSV. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.