APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G. C (pol.): 1685pF. Custo): 210pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 55ms. Função: Fontes de alimentação comutadas de alta frequência. Corrente do coletor: 56A. Ic(pulso): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: POWER MOS 7® IGBT. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.