APT8075BVRG

APT8075BVRG. C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power MOSV. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.