Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

AP9962GH

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AP9962GH. C (pol.): 1170pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Id(im): 150A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 9962GH. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 27.8W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 8 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.

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