FDD8447L

FDD8447L. C (pol.): 1970pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 15.2A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FDD8447L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. On-resistência Rds On: 0.085 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 15:25.