AP88N30W

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2 - 2	10.60€	13.04€
3 - 4	10.04€	12.35€
5 - 9	9.48€	11.66€
10 - 14	9.26€	11.39€
15 - 19	9.03€	11.11€
20 - 29	8.70€	10.70€

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Conjunto de 1

AP88N30W. C (pol.): 8440pF. Custo): 1775pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 160A. DI (T=100°C): 48A. DI (T=25°C): 48A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 88N30W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. On-resistência Rds On: 48m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

Documentação técnica

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