IXTQ88N30P

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	13.03€	16.03€
2 - 2	12.38€	15.23€
3 - 4	11.73€	14.43€
5 - 9	11.08€	13.63€
10 - 14	10.81€	13.30€
15 - 19	10.55€	12.98€
20 - 36	10.16€	12.50€

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Conjunto de 1

IXTQ88N30P. C (pol.): 6300pF. Custo): 950pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 220A. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 88A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. On-resistência Rds On: 40m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 96 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

Documentação técnica