Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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AP4511GD

AP4511GD
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AP4511GD. Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DIP-8. Carcaça: DIP. Quantidade por caixa: 2. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 20:25.

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Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Modo de aprimoramento DUAL MOSFET (canal N e P) . Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Nota: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Nota: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Nota: Vds 30V & 30V
APM4546J
Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Modo de aprimoramento DUAL MOSFET (canal N e P) . Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Nota: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Nota: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Nota: Vds 30V & 30V
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