AP4800CGM

AP4800CGM. C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 8.4A. DI (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (máx.): 10.4A. Marcação na caixa: 4800C G M. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: comutação rápida, conversor DC/DC. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.