Transistores

Tipo de canal: N-P. Função: Transistor MOSFET, Rds (ON) muito baixo. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

C (pol.): 1980pF. Custo): 317pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 11.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12.7A. Idss (máx.): 20mA. IDss (min): 0.02mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 27 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: FET em SMPS, comutação de carga. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3760pF. Custo): 682pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 0.0039 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 9.5 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2154pF. Custo): 474pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 0.0058 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25.2 ns. Td(ligado): 6.8 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Quantidade por caixa: 1. Função: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 27.5us. Função: Transistor MOSFET, Rds (ON) muito baixo. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 46m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 4.7V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 2

C (pol.): 4360pF. Custo): 1050pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 39.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 200A. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 0.01uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 920pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 21.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Marcação na caixa: D405. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 24.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: transistor complementar (par) AOD408. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1040pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D408. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 13.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17.4 ns. Td(ligado): 4.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: transistor complementar (par) AOD405. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2977pF. Custo): 241pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Marcação na caixa: D409. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 32m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 450pF. Custo): 61pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 27.6 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 47m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 4.2 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power MOSFET . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 951pF. Custo): 373pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 10.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 96A. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. On-resistência Rds On: 6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 18.5 ns. Td(ligado): 6.25 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power MOSFET . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: RDS muito baixo (ligado) a 10VGS. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Custo): 16pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 172ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 15A. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 3.9A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 17 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. C (pol.): 273pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 962pF. Custo): 98pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 332ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. On-resistência Rds On: 0.71 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 24 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2850pF. Custo): 258pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 170A. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3430pF. Custo): 1327pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 1.9m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 33.8 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power AlphaMOS . Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: DFN8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: 7401. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 24 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2060pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N-P. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Marcação na caixa: P605. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

Tipo de canal: N-P. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

C (pol.): 1100pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: AOY2610E. Pd (dissipação de energia, máx.): 59.5W. On-resistência Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 22 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: Trench Power AlphaSGTTM technology. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03 GP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. On-resistência Rds On: 25m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03 GP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. On-resistência Rds On: 25m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 mS. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03GS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. On-resistência Rds On: 25m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 990pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 35V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: comutação rápida, conversor DC/DC. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: 4501GM. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)