AOD9N50

AOD9N50. C (pol.): 962pF. Custo): 98pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 332ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. On-resistência Rds On: 0.71 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 24 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.