AOD409

AOD409. C (pol.): 2977pF. Custo): 241pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Marcação na caixa: D409. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 32m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 06:25.