AO4710

AO4710. C (pol.): 1980pF. Custo): 317pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 11.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12.7A. Idss (máx.): 20mA. IDss (min): 0.02mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 27 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: FET em SMPS, comutação de carga. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.