AP40T03GJ

AP40T03GJ. C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03 GP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. On-resistência Rds On: 25m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.