AON6512

AON6512. C (pol.): 3430pF. Custo): 1327pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 1.9m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 33.8 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power AlphaMOS . Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.