Transistores

C (pol.): 430pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14.8A. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: K3699. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. On-resistência Rds On: 3.31 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2200pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K3799. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SC-67 ). Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 96pF. Custo): 29pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 2.8A. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K3850. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. On-resistência Rds On: 14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 9 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2200pF. Custo): 45pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1.4us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 5.3A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K3878. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 65 ns. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Proteção GS: sim

C (pol.): 4250pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 80A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 500uA. Marcação na caixa: K3911. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI). Carcaça: TO-3PN. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 4250pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 92A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 500uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI). Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

C (pol.): 2400pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 52A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K4012. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 70 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOS VI). Proteção GS: sim

C (pol.): 1400pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 18A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K4013 Q. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 80 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (U-MOS III)

C (pol.): 2900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação de alta corrente. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K4075. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 18 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Tecnologia: POWER MOSFET, transistor de efeito de campo. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3400pF. Custo): 320pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 80A. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): n/a. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 280 ns. Td(ligado): 130 ns. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (MOS VI). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: V-MOS. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tensão Vds(máx.): 800V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 2.5 Ohms. Tensão Vds(máx.): 850V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 800V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 800V. Nota: (F)

C (pol.): 900pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Id(im): 12A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.8A. DI (T=25°C): 0.6A. Idss (máx.): 0.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD. Tensão Vds(máx.): 100V. Função: Acionamento por relé, acionamento por motor

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.046 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 60V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 800V

Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Fast-switching. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: D13009K. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: D209L. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(min): 0.7us. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 20. Ganho mínimo de hFE: 16. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: 4202BD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.18V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 490V. Vebo: 13V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

C (pol.): 7pF. Custo): 5.9pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Id(im): 0.6A. DI (T=25°C): 0.15A. Idss (máx.): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SSFP. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.3V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.4V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-343. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1V. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V/40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W