Transistores

C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Yfs--8-16S. Id(im): 75A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2507. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (L2-TT-MOSV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: sim

C (pol.): 220pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 4A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2538. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power F-MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MOS (TT.MOSV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1300pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2545. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 45 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 1800pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, H.V. Id(im): 15A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 80 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, H.V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 800V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 2040pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1.6us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, H.V. Id(im): 27A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2611. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 150pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor de efeito de campo. Proteção GS: Supressor . Id(im): 6A. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: ZA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 700pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Id(im): 16A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1mA. Marcação na caixa: K2625. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 550pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching Applications. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 1mV. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI-LS. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 5.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 950pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2640. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.73 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 450pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 3.19 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1.78 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 780pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2662. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: High Speed Switching, Zener-Protected. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Transistor de efeito de campo (TT-MOS V). Proteção GS: sim

C (pol.): 1140pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): na. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): na. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 2.1 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2699. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 750pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2700. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Alta velocidade, comutação de alta tensão, conversores DC/DC. Proteção GS: sim

C (pol.): 280pF. Custo): 58pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Velocidade de comutação rápida. Id(im): 6A. DI (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 2A. Marcação na caixa: K2715. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1200pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 15A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Alta velocidade, comutação de alta tensão, conversores DC/DC. Proteção GS: sim

C (pol.): 830pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta corrente. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 28m Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: Transistor de potência de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 800pF. Custo): 65pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(im): 14A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K2750. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 1.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 1100pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1850pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 2.5us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Id(im): 48A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): na. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET canal N. Potência: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 700V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 2040pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(im): 48A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): na. Marcação na caixa: K2842. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 58 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim