Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK2662

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2SK2662. C (pol.): 780pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2662. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: High Speed Switching, Zener-Protected. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Transistor de efeito de campo (TT-MOS V). Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.

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C (pol.): 1300pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: K2545. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 45 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim
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C (pol.): 690pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . ...
STP5NK60ZFP
C (pol.): 690pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 485 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P5NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+ °C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção GS: sim
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