Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK1117

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2SK1117. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.5 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 15:25.

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