2SK2651

2SK2651. C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1.78 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.