2SK2647

2SK2647. C (pol.): 450pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 3.19 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.