Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 330V/200V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 4000. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Spec info: TO-126. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Corrente do coletor: 0.02A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Função: NF

Custo): 50pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Amplificador de saída AF. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 340. Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3P. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J119. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1050pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 800pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS (F). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

C (pol.): 1040pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 205 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com baixa fonte de drenagem na resistência . Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Proteção GS: sim

C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(im): 18A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Proteção GS: sim

C (pol.): 720pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: diodo de proteção integrado. Id(im): 30A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS de canal P. Proteção GS: sim

C (pol.): 120pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: transistor complementar (par) 2SK216. DI (T=25°C): 500mA. Idss (máx.): 500mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. DI (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (máx.): 2.5mA. IDss (min): 2.5mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: Amplificação de alta frequência

C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.5 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Proteção GS: NINCS

Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 3.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. Marcação na caixa: K1120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Spec info: Aplicação de conversor DC-DC e acionamento de motor. Peso: 4.6g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.08 Ohms. Tensão Vds(máx.): 60V

C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: V-MOS-L. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1400pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Low Driving Power High Speed Switching. Id(im): 23A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: V-MOS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Proteção GS: NINCS

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K1246. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1800pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta tensão . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 240W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: TO-3PN 13-16A1A. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Spec info: compatível com nível lógico