Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SD880-PMC

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2SD880-PMC. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.

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BD243C-STM

BD243C-STM

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Q...
BD243C-STM
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD243C-STM
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BD243CG

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Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polarid...
BD243CG
Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V
BD243CG
Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V
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BD243C-CDIL

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Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Materia...
BD243C-CDIL
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD243C-CDIL
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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