BD243C-STM
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.83€ | 2.25€ |
| 5 - 9 | 1.74€ | 2.14€ |
| 10 - 24 | 1.65€ | 2.03€ |
| 25 - 49 | 1.56€ | 1.92€ |
| 50 - 80 | 1.52€ | 1.87€ |
| Quantidade | U.P | |
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| 1 - 4 | 1.83€ | 2.25€ |
| 5 - 9 | 1.74€ | 2.14€ |
| 10 - 24 | 1.65€ | 2.03€ |
| 25 - 49 | 1.56€ | 1.92€ |
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BD243C-STM. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.
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Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V
Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V
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Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP42C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP42C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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