Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-1. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.7A. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD551. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB631K. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 700mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Nota: 9mm. Marcação na caixa: D667. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB647

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB682

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB688. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 6A. Nota: B=1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF/SL. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB764. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD871. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/600V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V