Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220FP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 3A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 30W. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA. Corrente do coletor: 3.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Io-sat. Corrente do coletor: 3A. Nota: >500. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Ideal para saída Hi-Fi de 120 W . Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 3500. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington tipo planar de difusão tripla . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 0.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50MHz. Função: Amplificação de potência com alta corrente direta. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( MT-100 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1560. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Função: S Io-sat. Corrente do coletor: 2A. Nota: serigrafia/código SMD DT. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1561

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: D2394. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V

Custo): 55pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 5000. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1588. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1588. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 6A. Nota: >5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1625

Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA Hi-r. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Nota: Vce(sat)=5V

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 3A. Potência: 1.5W. Frequência máxima: 50 MHz. Carcaça: MT-3-A1

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: TO-220. Ganho máximo de hFE: 12000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 6A. Marcação na caixa: D2589. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1659

Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: 2A. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 3. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 22W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V