2SD2375

2SD2375. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50MHz. Função: Amplificação de potência com alta corrente direta. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 07:25.