2SD2396

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5 - 9	2.02€	2.48€
10 - 24	1.91€	2.35€
25 - 49	1.80€	2.21€
50 - 99	1.55€	1.91€
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2SD2396. Custo): 55pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.

Documentação técnica

Produtos equivalentes :

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2SC4495

Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: High h...

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