2SC4495
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2SC4495. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: High hFE, LOW Vce(sat). Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Tecnologia: Transistor planar difuso triplo NPN. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.
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Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): MF20 TO220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Driver para solenóide e motor. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): MF20 TO220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Driver para solenóide e motor. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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