2SA1360

2SA1360. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): 2-8H1A. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3423 . Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.