Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DK, hFE 120...200

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 5A. Id(im): 8A. Marcação na caixa: DK. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DK

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 3.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V

Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: transistor bipolar. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: DAQ. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD DAQ

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 7A. Id(im): 12A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1135. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 12A. Id(im): 15A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1136. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-E-L. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF/E (F). Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1186A

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 2A. Nota: >1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Diodo CE: sim

Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1202. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: transistor complementar (par) 2SB1204

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: 5000. Ganho mínimo de hFE: 2000. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Amplificador de saída de deflexão horizontal para TV em cores.. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1274

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: transistor de pacote isolado . Ganho mínimo de hFE: 3000. Corrente do coletor: 4A. Nota: =3000. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1342

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/650V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 1500V. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 650V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Função: S-L TV/HA(F)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat DC/DC. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 2.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V

Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 3A. Marcação na caixa: D2012. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1366. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS