Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: A21/B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V/10V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.12W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1000V/500V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 22W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 220 MHz. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: lo-sat . Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V

Custo): 120pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Amplificador de potência de áudio, conversor DC-DC. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB817. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 15A. Marcação na caixa: D1062. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: inversores de alta velocidade, conversores, low-sat. Spec info: transistor complementar (par) 2SB826

Custo): 200pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Vebo: 10V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 4A. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: substituir

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: substituir

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB892. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD1279. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M37/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: 2.32k Ohms. Corrente do coletor: 0.5A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz